O substrato cerâmico de nitreto de silício apresenta inúmeras vantagens, como alta resistência, alta tenacidade e condutividade térmica excepcional (130W/(m-k)). Além disso, seu coeficiente de expansão térmica é próximo do dos semicondutores Si, SiC e GaN. Consequentemente, o substrato cerâmico de nitreto de silício é uma escolha ideal para embalar módulos de alta potência, tornando-o amplamente considerado a opção de substrato cerâmico mais adequada.
Nossa empresa utiliza o processo de nitreto direto para produzir pó de silício de alta pureza. Por meio de nossa tecnologia patenteada única, controlamos o material de silício, o processo de nitruração e o processo de refino para preparar o pó de nitreto de silício CF-HJ com alta pureza, alto teor de fases, distribuição estreita do tamanho das partículas e atividade excepcional de sinterização. Esse tipo de pó de nitrueto de silício efetivamente eliminou monopólios estrangeiros e pode servir como um substituto totalmente viável para o pó de nitreto de silício importado com o mesmo nível de qualidade.
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Item de teste |
Unidade |
Faixa de índice |
Equipamento ou método de teste |
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α fase |
% |
≥90 |
Difractômetro de raios X JC/T 2342-2015 |
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Fe |
ppm |
≤200 |
Método de absorção atômica ISO10058-3:2008 |
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Al |
ppm |
≤200 |
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Ca |
ppm |
≤200 |
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N |
% |
≥38,5 |
Aparelho de nitrogênio Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
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Frss Si |
% |
<0,2 |
Methpd volumétrico de gás GB/T 16555-2017 |
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C |
% |
≤0,10 |
Analisador de carbono infravermelho de alta frequência GB/T 16555-2017 |
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D50 |
μm |
≤0,9 |
Analisador de tamanho de partículas a laser GB/T19077-2016 |
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O |
% |
≤1.4 |
Método de condutividade térmica infravermelha por pulso de gás inerte GB/T 16555-2017 |
