A fabricação de semicondutores impõe exigências extremamente exigentes em pureza do material, estabilidade térmica, resistência à gravação por plasma e precisão mecânica. Com sua alta resistividade (>10¹⁴ Ω•cm), alta condutividade térmica, baixa expansão térmica, excelente resistência dielétrica e resistência à gravação por plasma de flúor, o nitreto de silício tornou-se um componente cerâmico de precisão indispensável em equipamentos de processamento de pastilhas. Comparado ao alumínio e quartzo, os componentes de nitreto de silício reduzem significativamente a contaminação por partículas, estendem os intervalos de manutenção, melhoram as taxas de escoamento e suportam nós de processo mais avançados. Ao mesmo tempo, sua condutividade térmica e resistência em alta temperatura permitem que os elementos de aquecimento respondam mais rapidamente e criem uma distribuição de temperatura mais uniforme, ajudando equipamentos semicondutores a evoluir para maior produção e menor consumo de energia.
Projetadas para ambientes de alta temperatura e alta pureza, como Processamento Térmico Rápido (RTP), aquecedores MOCVD e placas de aquecimento por plasma gravadora. Placas de aquecimento de nitreto de silício podem ser fabricadas como elementos de aquecimento monolíticos imprimindo pasta resistiva no interior ou superfície de substratos cerâmicos, oferecendo excelente uniformidade térmica, rápidas taxas de aquecimento, resistência à corrosão e liberdade de contaminação por metais. Comparados aos aquecedores tradicionais de metal, os elementos de aquecimento de nitreto de silício oferecem mais de 20% de eficiência térmica, permitindo um controle mais preciso das temperaturas do processo de pastilha enquanto previnem contaminação por íons metálicos. Eles são adequados para uso nos processos de fabricação de semicondutores de próxima geração mais exigentes.
